Artikelnummer | ZXMP10A17E6TA |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 424pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.1W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 1.4A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
Paket / Fall | SOT-23-6 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK
Auf Lager: 10000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V SOT223
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Auf Lager: 27000