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| Artikelnummer | 4N26S(TB)-V |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannung - Isolation | 5000Vrms |
| Aktueller Übertragungsgrad (Min.) | 20% @ 10mA |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (maximal) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (Max) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 60mA |
| Vce Sättigung (Max) | 500mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP SMD |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
Auf Lager: 1000
Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
Auf Lager: 0
