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| Artikelnummer | FCH023N65S3L4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 7.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 222nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7160pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 595W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 37.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Auf Lager: 441
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Auf Lager: 177
