Artikelnummer | FCH041N65EFL4 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 7.6mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 298nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12560pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 595W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
Paket / Fall | TO-247-4 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Auf Lager: 450
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 77A TO-247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 76A TO247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 76A TO247
Auf Lager: 185
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A
Auf Lager: 436
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Auf Lager: 418
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Auf Lager: 316