Artikelnummer | FCH125N60E |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2990pF @ 380V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 14.5A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A TO247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
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