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| Artikelnummer | FDMD8260LET60 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5245pF @ 30V |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 12-Power3.3x5 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A
Auf Lager: 0
