Artikelnummer | FDMS86252L |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1335pF @ 75V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 4.4A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6), Power56 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A PT8
Auf Lager: 2643
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A PT8
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A PT8
Auf Lager: 3000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
Auf Lager: 3000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 19A PT8
Auf Lager: 156000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A PT8
Auf Lager: 429000