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| Artikelnummer | FQA11N90_F109 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
Auf Lager: 58
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
Auf Lager: 0
