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| Artikelnummer | HUF75639G3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 200W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 56A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 44A TO-220AB
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
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