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| Artikelnummer | GA05JT12-247 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 106W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5A |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AB |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANS SJT 100V 9A
Auf Lager: 89
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANS SJT 300V 9A
Auf Lager: 64
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANS SJT 1200V 5A
Auf Lager: 0
