Artikelnummer | GP2M008A060HG |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 120W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A TO220
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
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