Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln GPA020A135MN-FD

Global Power Technologies Group GPA020A135MN-FD

Artikelnummer
GPA020A135MN-FD
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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Gesamt:1.82000/pcs Unit Price:
1.82000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer GPA020A135MN-FD
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1350V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 60A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 20A
Leistung max 223W
Energie wechseln 2.5mJ (on), 760µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 180nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/175ns
Testbedingung 600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 425ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3
Lieferantengerätepaket TO-3P
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