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| Artikelnummer | BCR 183T E6327 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 250mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SC-75 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
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