Artikelnummer | BCR112E6327HTSA1 |
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Teilstatus | Last Time Buy |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 4.7k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Auf Lager: 36000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
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