Infineon Technologies BCR133E6327HTSA1

Artikelnummer: BCR133E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	BCR133E6327HTSA1
Teilstatus	Last Time Buy
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	130MHz
Leistung max	200mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	PG-SOT23-3