Artikelnummer | BCR142B6327HTLA1 |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 22k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT23-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Auf Lager: 24000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
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