Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung BCR166B6327HTLA1

Infineon Technologies BCR166B6327HTLA1

Artikelnummer
BCR166B6327HTLA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer BCR166B6327HTLA1
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 160MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket PG-SOT23-3
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