Artikelnummer | BFG 19S E6327 |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 5.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 14dB ~ 8.5dB |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 210mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
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