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| Artikelnummer | BSO615N |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | PG-DSO-8 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
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