Infineon Technologies IKW50N65EH5XKSA1

Artikelnummer: IKW50N65EH5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - IGBTs - Einzeln

Infineon Technologies

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1,000 pcs
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Gesamt:2.55000/pcs

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Menge:

Produktparameter

Artikelnummer	IKW50N65EH5XKSA1
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Leistung max	275W
Energie wechseln	1.5mJ (on), 500µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	25ns/172ns
Testbedingung	400V, 50A, 12 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	81ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	PG-TO247-3