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| Artikelnummer | IPD031N03M G |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
Auf Lager: 5000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH TO-252-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Auf Lager: 10000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Auf Lager: 5000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Auf Lager: 0
