Infineon Technologies IPP037N06L3GXKSA1

Artikelnummer: IPP037N06L3GXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IPP037N06L3GXKSA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 93µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	167W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 90A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3