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| Artikelnummer | IPU60R2K0C6AKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 22.3W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 760mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-251-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-251-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-251-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-251-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-251
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
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