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| Artikelnummer | IRLR014NTRR |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 28W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
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