hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.
| Artikelnummer | SPD02N80C3ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 42W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: LOW POWER_LEGACY
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
Auf Lager: 0
