Artikelnummer | 71V256S10YG |
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Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 28-SOJ |
Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4.5MBIT 100MHZ 119BGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4.5MBIT 100MHZ 100TQFP
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung: IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ 119BGA
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Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
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