Artikelnummer | IS61LPS51218B-200TQLI |
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Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous |
Speichergröße | 9Mb (512K x 18) |
Taktfrequenz | 200MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 3.1ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3.135 V ~ 3.465 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 100-LQFP |
Lieferantengerätepaket | 100-LQFP (14x20) |
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA
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Beschreibung: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung: IC SRAM 36MBIT 166MHZ 100TQFP
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