IXYS IXFP4N60P3

Artikelnummer: IXFP4N60P3
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

IXYS

hotenda.cn is an authorized distributor of ixys products. ixys offers on-resistance power mosfets, igbts, freds, scr and diode modules, rectifier bridges and ics.

Auf Lager $ Stück Stück

Referenzpreis
(In US-Dollar)
1 pcs
0.92000/pcs
10 pcs
0.83150/pcs
100 pcs
0.66825/pcs
500 pcs
0.51975/pcs
1,000 pcs
0.43065/pcs

Gesamt:0.92000/pcs

Unit Price:

0.92000/pcs

Zielpreis:

Menge:

Produktparameter

Artikelnummer	IXFP4N60P3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	114W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3