Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IXTH76P10T

IXYS IXTH76P10T

Artikelnummer
IXTH76P10T
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
IXYS

IXYS

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Gesamt:3.35500/pcs Unit Price:
3.35500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IXTH76P10T
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 298W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Fall TO-247-3
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