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| Artikelnummer | MMIX1F180N25T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 132A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 364nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 570W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 90A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SMPD |
| Paket / Fall | 24-PowerSMD, 21 Leads |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
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Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
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