Artikelnummer | MJD112-TP |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 100V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 20nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | D-Pak |