Artikelnummer | SI1012-TP |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 500mA |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 750nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 16V |
Vgs (Max) | ±12V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 150mW |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 500mA, 2.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
Paket / Fall | SOT-523 |
Hersteller: Silicon Labs
Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN
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