provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT40DQ120BG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 40A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 40A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 350ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Auf Lager: 5
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Auf Lager: 2905
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Auf Lager: 355
