Artikelnummer | APT60D120SG |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 60A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 60A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 400ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 250µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Lieferantengerätepaket | D3 [S] |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 25
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Auf Lager: 0