provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APT85GR120J |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 116A |
| Leistung max | 543W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8.4nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
Auf Lager: 1
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
Auf Lager: 92
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
Auf Lager: 7
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
Auf Lager: 9
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
Auf Lager: 6
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
Auf Lager: 0
