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| Artikelnummer | APTGF50H60T3G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 65A |
| Leistung max | 250W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.2nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 130A 735W SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 135A 568W SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
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