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| Artikelnummer | APTGT600A60G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 700A |
| Leistung max | 2300W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 600A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 750µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 49nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 130A 735W SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 135A 568W SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
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