Artikelnummer | APTGV30H60T3G |
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Teilstatus | Obsolete |
IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
Aufbau | Full Bridge Inverter |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 50A |
Leistung max | 90W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP3 |
Lieferantengerätepaket | SP3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT NPT 600V SP3
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