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| Artikelnummer | APTM120U10SAG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 116A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3290W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
| Paket / Fall | SP6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
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