Artikelnummer | JAN1N4963 |
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Teilstatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 5W |
Impedanz (Max) (Zzt) | 3.5 Ohm |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 12.2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | E, Axial |
Lieferantengerätepaket | - |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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