Artikelnummer | JAN2N1486 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 3A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 55V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 40mA, 750mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 15µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 750mA, 4V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-8 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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