Artikelnummer | JANS2N3019 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Leistung max | 800mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Lieferantengerätepaket | TO-5 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200MA DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL
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