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| Artikelnummer | JANS2N3637 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 175V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Leistung max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200MA DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL
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