Artikelnummer | JANTX1N6330US |
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Teilstatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (Max) (Zzt) | 14 Ohm |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50nA @ 14V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, B |
Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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