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| Artikelnummer | JANTX2N4859 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 175mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 10V @ 500pA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 25 Ohm |
| Leistung max | 360mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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