Artikelnummer | JANTX2N6796 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 8A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-205AF (TO-39) |
Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Auf Lager: 87
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Auf Lager: 100
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 39
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 36
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Auf Lager: 4