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| Artikelnummer | JANTXV1N6317US |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 1300 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 2V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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