SG2013J-883B P1

Microsemi Corporation SG2013J-883B

Artikelnummer: SG2013J-883B
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

Produktparameter

Artikelnummer	SG2013J-883B
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	7 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.9V @ 600µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	900 @ 500mA, 2V
Leistung max	-
Frequenz - Übergang	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	-
Lieferantengerätepaket	16-CDIP

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