Artikelnummer | BFS17,215 |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | 1GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 500MHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 300mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 2mA, 1V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 25mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR NPN 6V 35MA TSLP-6
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR GP BJT NPN 6V TSLP-6
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR ARRAY DUAL NPN TSLP-6
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF TWIN NPN TSLP-6
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363
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