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| Artikelnummer | PHX18NQ20T,127 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 30W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
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